马赫曾德尔调制器产品说明书?LiNbO3 调制器？ _马赫曾德尔调制器

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马赫-曾德尔调制器的应用
马赫曾德尔调制器的能量是怎么守恒的
光调制器的M-Z干涉仪式调制器原理介绍
LiNbO3 调制器
马赫-曾德尔调制器的介绍
马赫增德尔调制器怎么用visio绘图

Q1：马赫-曾德尔调制器的应用除了制造应用于光强度调制的马赫-曾德尔调制器，还可以用于制造马赫-曾德尔热光TO开关，只是这里只应用光强度的两种状态，即开状态和闭状态，这是一种MEMS系统，光信号进入两根二氧化硅波导，其中一个波导的部分光路附近形成电加热器来加热，起到移相器的作用，然后在方向性耦合器处进行干涉，光从两个位置出来，其中一个位置标示开状态，另一个位置表示闭状态。它的尺寸是约11mm×0.5mm 。与调制器不同的是，调制器需要电加热薄膜的电压可调制，而马赫-曾德尔热光TO开关的电压是恒定的。

Q2：马赫曾德尔调制器的能量是怎么守恒的MZ Mach-Zehnder 马赫曾德尔调制器
该调制器将输入光分成两路相等的信号分别进入调制器的两个光支路.这两个光支路采用的材料是电光性材料,其折射率随外部施加的电信号大小而变化.由于光支路的折射率变化会导致信号相位的变化,当两个支路信号调制器输出端再次结合在一起时,合成的光信号将是一个强度大小变化的干涉信号,相当于把电信号的变化转换成了光信号的变化,实现了光强度的调制.
Q3：光调制器的M-Z干涉仪式调制器原理介绍电光调制器(EOM)是利用某些电光晶体，如铌酸锂(LiNbO3)、砷化镓(GaAs)和钽酸锂(LiTaO3)的电光效应而制成的。电光调制是基于线性电光效应(普尔克效应)即光波导的折射率正比于外加电场变化的效应。电光效应导致的相位调制器中光波导折射率的线性变化，使通过该波导的光波有了相位移动，从而实现相位调制。单纯的相位调制不能调制光的强度。但由包含两个相位调制器和两个Y分支波导构成的马赫-曾德尔(Mach-Zehnder)干涉仪型调制器可以调制光的强度。
M-Z干涉仪式调制器结构如图1所示。输入光波经过一段光路后在一个Y分支处被分成相等的两束，分别通过两光波导传输，光波导是由电光材料制成的，其折射率随外加电压的大小而变化，从而使两束光信号分别到达第2个Y分指出产生相位差。若两束光的光程差是波长的整数倍，两束光相干抵消，调制器输出很小。因此通过控制电压就能对光信号进行调制。
对于各种类型的高速调制器，主要应考虑高频信号的频率限制问题，为此可将高频调制信号以行波形式输入，以确保电光调制器中光波和调制电场具有相同的速度。目前高速长距离系统中，所用调制器大多数是以M-Z干涉仪为基础的行波电极电光调制器。这种调制器具有如下优点：
(1) 采用行波电极，可获得很高的工作速度；
(2) 以铌酸锂(LiNbO3)材料为衬底制作的M-Z调制器与DFB激光器(分布式反馈激光器)组合，使调制信号的频率啁啾非常小；
(3) 性能的波长依赖性很小。
对未来的光网络来说，集成化是必然的发展趋势，对器件的尺寸的要求越来越苛刻。有机聚合物是当今公认的最具挑战意义的一种新型非线性光学材料，并且由于其自身的优点，正成为人们关注的焦点。使用聚合物电光材料制成的有机物电光调制器将在未来的光通信、光信息处理领域发挥越来越重要的作用。

Q4：LiNbO3 调制器【马赫曾德尔调制器产品说明书?LiNbO3 调制器？】在外加电场的作用下，晶体的折射率光吸收和光散射特性发生了变化，由此而产生的效应称为电光效应.当晶体折射率的改变与所加电场成正比时，即电场的一次项，这种电光效应称为线性电光效应，由Pokels于 1893年发现，也称为Pokels效应，一般发生于无对称中心晶体中，该效应是电光调制的基础。当晶体折射率的改变与所加电场强度的平方成正比时，即电场的二次项，这种电光效应由Kerr在 1875年发现，称为二次电光效应或称为Kerr电光效应，二次电光效应存在于一切晶体中。对LiNbO3晶体来说，线性电光效应比二次电光效应显著的多，因此调制器主要利用其线性电光效应进行调制。
铌酸锂电光调制器的工作原理简单的描述为，当晶体特定方向施加电场作用时，由于电光效应导致晶体折射率的改变，继而引起晶体中传输光波的额外相位变化，从而达到调制光波的目的。