智能手机|realme GT2大师探索版跑分出炉：骁龙8+提升约10%
realme GT2大师探索版现已确认将会搭载高通骁龙8+移动平台 ， 采用台积电4nm制程工艺 ， 其功耗与良品率与三星4nm相比要更胜一筹 。
今日 ， 数码博主@WHYLAB曝出了realme GT2大师探索版的Geekbench 5跑分图 ， 单核成绩达1296分 ， 多核为 4211分 ， 相较于骁龙8有接近10%左右的提升 ， 当然考虑到工程机的缘故 ， 还有进一步的优化空间 。
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另外 ， 根据跑分图显示 ， realme GT2大师探索版最高还将配备12GB内存 ， 预计内存规格将会从前代的LPDDR4X 2133MHz升级到LPDDR5 3200MHz 。
根据此前爆料的信息 ， realme GT2大师探索版将成为OPPO系首款支持100W快充的机型 ， 同时辅以5000mAh双电芯电池 ， 后置5000万像素三镜头设计 ， 主摄有望支持OIS光学防抖 。
另外 ， realme GT2大师探索版的外观将有日本知名设计师深泽直人操刀设计 ， 整机的颜值将有比较大的提升 ， realme副总裁曾赞叹“这将是手机工业设计的天花板” 。
【智能手机|realme GT2大师探索版跑分出炉：骁龙8+提升约10%】
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