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据报道 ， 美国科研人员研发出了一款名为“谐振隧穿二极管”的新型氮化镓基电子器件 ， 其应用于5G技术峰值速率超越了预期 。
研究人员表示：“氮化镓基‘谐振隧穿二极管’比传统材料‘谐振隧穿二极管’的频率和输出功率都高 ， 其速率快慢的关键在于采用了氮化镓材料 。”
该氮化镓基“谐振隧穿二极管”打破了传统器件的电流输出与开关速率的纪录 ， 能使应用程序（包括通信、联网与遥感）获取毫米波范围内的电磁波以及太赫兹频率 。
作为第三代半导体材料的氮化镓（GaN） ， 是一种坚硬的高熔点（熔点约为1700℃）材料 ， 具有高频、高效率、耐高压等特性 ， 用于制作多种功率器件和芯片 。
氮化镓在半导体材料领域的研究已经持续多年 ， 近期广为人知 ， 是因为它可以用在充电器中 。而充电市场并非氮化镓功率器件的唯一用武之地 ， 它还应用于光电、 射频 领域 。
非常值得一提的是 ， 在射频领域 ， 氮化镓射频器件适合高频高功率场景 ， 是5G时代的绝佳产品 ， 将替代Si基芯片 ， 应用在5G基站、卫星通信、军用雷达等场景 。
在政治局会议多次点名之下 ， 5G基站的建设迎来高峰 ， 相应的各种射频器件、芯片数量和质量都在提升 ， 市场需求旺盛 。氮化镓工艺正在逐步占领市场 ， 已经势不可挡 。
根据拓璞产业研究院预计 ， 到2023年基站端GaN射频器件规模达到顶峰 ， 达到112.6亿元 。再加上卫星通信、军用雷达的市场 ， 据预测GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年的约20亿美元 。
另外 ， GaN基紫外 激光 器在紫外光固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值 。疫情当前 ， 中美都启用了基于GaN的紫外光进行消毒杀菌 ， 相关市场随之增长 。
【美研发出新型氮化镓器件！5G技术峰值速率超预期】
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