闪存|东芯半导体：19nm闪存完成首轮流片 暂时不做3D闪存
说到国产NAND闪存 ， 大家肯定第一个想到长江存储 ， 但在这一行业努力的还有很多家 。
8月19日 ， 东芯半导体在回答投资者提问时透露 ， 该公司采用19nm先进工艺的NAND Flash闪存产品已完成了首轮流片 ， 目前正在产品调试的过程中 。
东芯称 ， 公司在更新工艺方面不断钻研 ， 从38nm、24nm再到正在开发的19nm的工艺 ， 通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品 。
对于是否会进军3D NAND闪存 ， 东芯回应称 ， 目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售 ， 暂不涉及3D NAND业务 。
另外 ， 车规级存储器产品对各项指标都有更高的要求 ， 因此认证、导入时间较长 ， 目前相关产品正在积极研发和导入过程中 。
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公开资料显示 ， 东芯半导体股份有限公司(DoSilicon)成立于2014年 ， 总部位于上海 ， 在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司 ， 致力于成为领先的存储芯片设计公司 ， 服务全球客户 。
作为Fabless芯片企业 ， 东芯半导体拥有独立自主的知识产权 ， 聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售 ， 是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司 。
【闪存|东芯半导体：19nm闪存完成首轮流片 暂时不做3D闪存】
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