三星|功耗直接砍半！三星：3nm GAA工艺研发进度领先台积电
虽然目前来看 ， 下一代芯片普遍依然采用5nm工艺打造 ， 但是厂商却一直在耗费巨资开发3nm工艺 ， 其中台积电就表示将要在明年量产3nm工艺 。
不过 ， 消息称台积电依然选择FinFET晶体管技术 ， 三星则选择了GAA技术 ， 并且还成功流片 ， 距离实现量产更近了一步 。
【三星|功耗直接砍半！三星：3nm GAA工艺研发进度领先台积电】据韩媒Business Korea最新报道 ， 三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在8月25日的一场网络技术论坛中透露 ， 三星能够抢在主要竞争者台积电之前 ， 宣布GAA技术商业化 。
他直言：“我们开发中的GAA技术 ， 领先主要竞争者台积电 。一旦巩固这项技术 ， 我们的晶圆代工事业将可更加成长 。”
据悉 ， GAA是一种新型的环绕栅极晶体管 ， 通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET ， 多桥-通道场效应管） ， 该技术可以显著增强晶体管性能 ， 主要取代FinFET晶体管技术 。
根据三星的说法 ， 与5nm制造工艺相比 ， 3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上 ， 功耗降低了50% ， 性能提高了约30% 。
三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准 ， 当时三星预计3nm GAA工艺会在2020年底试产 ， 2021年量产 ， 但现在显然不能实现这个计划了 。
需要注意的是 ， 有消息称三星3nm GAA工艺如果拖到2024年量产 ， 将会直接与台积电2nm竞争 ， 到时候鹿死谁手还犹未可知 。
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